EPC2101

codice articolo del costruttore:	EPC2101
Produttore:	EPC
Parte della descrizione:	GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Schede tecniche:	EPC2101 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	eGaN®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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