EPC2103ENGRT

codice articolo del costruttore:	EPC2103ENGRT
Produttore:	EPC
Parte della descrizione:	GANFET TRANS SYM HALF BRDG 80V
Schede tecniche:	EPC2103ENGRT Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	eGaN®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Discontinued at Digi-Key
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	80V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 7mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7600pF @ 40V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	Die
Pacchetto dispositivo fornitore	Die

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