PHKD6N02LT,518

codice articolo del costruttore:	PHKD6N02LT,518
Produttore:	Nexperia
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
Schede tecniche:	PHKD6N02LT,518 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	10.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 10V
Potenza - Max	4.17W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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