PHKD3NQ10T,518

codice articolo del costruttore:	PHKD3NQ10T,518
Produttore:	Nexperia
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC
Schede tecniche:	PHKD3NQ10T,518 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	90mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	21nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	633pF @ 20V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-SO

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