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codice articolo del costruttore: | HAT2218R-EL-E |
Produttore: | Rochester Electronics |
Parte della descrizione: | POWER, 7.5A, 30V, N-CH MOSFET |
Schede tecniche: | HAT2218R-EL-E Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | - |
Pacchetto | Bulk |
Stato della parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A, 8A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 10V |
Potenza - Max | 1.5W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Stato delle scorte: 3981
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
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