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Renesas Electronics America / HAT2210RWS-E

HAT2210RWS-E

codice articolo del costruttore: HAT2210RWS-E
Produttore: Renesas Electronics America
Parte della descrizione: MOSFET N-PAK 8SOP
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
Renesas Electronics America HAT2210RWS-E è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoTape & Reel (TR)
Stato della parteObsolete
Tipo FET2 N-Channel (Dual), Schottky
Caratteristica FETLogic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C7.5A (Ta), 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
Potenza - Max1.5W (Ta)
temperatura di esercizio150°C
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore8-SOP
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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