CSD87335Q3DT

codice articolo del costruttore:	CSD87335Q3DT
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 30V 25A
Schede tecniche:	CSD87335Q3DT Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.9V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1050pF @ 15V
Potenza - Max	6W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-LSON (3.3x3.3)

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