CSD85312Q3E

codice articolo del costruttore:	CSD85312Q3E
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Schede tecniche:	CSD85312Q3E Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	39A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.4mOhm @ 10A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.2nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2390pF @ 10V
Potenza - Max	2.5W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-VSON (3.3x3.3)

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