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                                    | codice articolo del costruttore: | EFC6612R-TF | 
| Produttore: | Rochester Electronics | 
| Parte della descrizione: | N-CHANNEL, MOSFET | 
| Schede tecniche: | EFC6612R-TF Schede tecniche | 
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS | 
| Condizioni di magazzino: | Disponibile | 
| Nave da: | Hong Kong | 
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 

| Tipo | Descrizione | 
|---|---|
| Serie | - | 
| Pacchetto | Bulk | 
| Stato della parte | Active | 
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 2.5V Drive | 
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | - | 
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | 
| Vgs (th) (Max) @ Id | - | 
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - | 
| Potenza - Max | 2.5W | 
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | 
| Tipo di montaggio | Surface Mount | 
| Pacchetto / caso | 6-SMD, No Lead | 
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-CSP (1.77x3.54) | 
Stato delle scorte: 2019995
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo | 
|---|---|---|
                                                                     
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