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Rochester Electronics / EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

codice articolo del costruttore: EFC6602R-TR
Produttore: Rochester Electronics
Parte della descrizione: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FETLogic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.9mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs55nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds-
Potenza - Max2W (Ta)
temperatura di esercizio150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto / caso6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore6-WLCSP (1.81x2.7)
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

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