EPC2108

codice articolo del costruttore:	EPC2108
Produttore:	EPC
Parte della descrizione:	GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
Schede tecniche:	EPC2108 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	eGaN®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V, 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.7A, 500mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Potenza - Max	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	9-VFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	9-BGA (1.35x1.35)

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