IPG16N10S4L61AATMA1

codice articolo del costruttore:	IPG16N10S4L61AATMA1
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Schede tecniche:	IPG16N10S4L61AATMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 25V
Potenza - Max	29W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount, Wettable Flank
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-10

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