IPG15N06S3L-45

codice articolo del costruttore:	IPG15N06S3L-45
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Schede tecniche:	IPG15N06S3L-45 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	OptiMOS™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1420pF @ 25V
Potenza - Max	21W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerVDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TDSON-8-4

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 19782

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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