CSD85301Q2

codice articolo del costruttore:	CSD85301Q2
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Schede tecniche:	CSD85301Q2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	27mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.4nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	469pF @ 10V
Potenza - Max	2.3W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WSON (2x2)

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 8272

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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