CSD86350Q5DT

codice articolo del costruttore:	CSD86350Q5DT
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	25V POWERBLOCK N CH MOSFET
Schede tecniche:	CSD86350Q5DT Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	40A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10.7nC, 25nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF, 4000pF @ 12.5V
Potenza - Max	13W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	8-PowerLDFN
Pacchetto dispositivo fornitore	8-LSON (5x6)

OPZIONI DI ACQUISTO

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Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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