CSD25202W15T

codice articolo del costruttore:	CSD25202W15T
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Schede tecniche:	CSD25202W15T Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.05V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	-6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1010 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	9-DSBGA
Pacchetto / caso	9-UFBGA, DSBGA

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1500

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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