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| codice articolo del costruttore: | CSD23202W10T |
| Produttore: | Texas Instruments |
| Parte della descrizione: | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA |
| Schede tecniche: | CSD23202W10T Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | NexFET™ |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 12 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.8 nC @ 4.5 V |
| Vgs (massimo) | -6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 512 pF @ 6 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DSBGA (1x1) |
| Pacchetto / caso | 4-UFBGA, DSBGA |
Stato delle scorte: 18785
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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