CSD17313Q2Q1

codice articolo del costruttore:	CSD17313Q2Q1
Produttore:	Texas Instruments
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q100, NexFET™
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Not For New Designs
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	5A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	3V, 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	+10V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 15 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WSON (2x2)
Pacchetto / caso	6-WDFN Exposed Pad

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 4499

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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