CSD13303W1015

codice articolo del costruttore:	CSD13303W1015
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 12V 31A 6DSBGA
Schede tecniche:	CSD13303W1015 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	NexFET™
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	12 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	31A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.7 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	715 pF @ 6 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.65W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	6-DSBGA
Pacchetto / caso	6-UFBGA, DSBGA

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 165000

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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