SCT20N120H

codice articolo del costruttore:	SCT20N120H
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 20 V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	175W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	H2Pak-2
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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