SCT2H12NZGC11

codice articolo del costruttore:	SCT2H12NZGC11
Produttore:	ROHM Semiconductor
Parte della descrizione:	SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Schede tecniche:	SCT2H12NZGC11 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1700 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3.7A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	14 nC @ 18 V
Vgs (massimo)	+22V, -6V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	184 pF @ 800 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)
temperatura di esercizio	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3PFM
Pacchetto / caso	TO-3PFM, SC-93-3

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