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IR (Infineon Technologies) / BSB012NE2LX
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BSB012NE2LX
| codice articolo del costruttore: | BSB012NE2LX |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON |
| Schede tecniche: | BSB012NE2LX Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) BSB012NE2LX è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | OptiMOS™ |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 25 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 37A (Ta), 170A (Tc) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4900 pF @ 12 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.8W (Ta), 57W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Pacchetto / caso | 3-WDSON |
OPZIONI DI ACQUISTO
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| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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