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IR (Infineon Technologies) / BSB008NE2LXXUMA1

BSB008NE2LXXUMA1

codice articolo del costruttore: BSB008NE2LXXUMA1
Produttore: IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Schede tecniche: BSB008NE2LXXUMA1 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieOptiMOS™
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)25 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C46A (Ta), 180A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs0.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs343 nC @ 10 V
Vgs (massimo)±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds16000 pF @ 12 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)2.8W (Ta), 89W (Tc)
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitoreMG-WDSON-2, CanPAK M™
Pacchetto / caso3-WDSON
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 5000

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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