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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NTLJS4114NT1G

NTLJS4114NT1G

codice articolo del costruttore: NTLJS4114NT1G
Produttore: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione: MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Schede tecniche: NTLJS4114NT1G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
SerieµCool™
PacchettoTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parteActive
Tipo FETN-Channel
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C3.6A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds650 pF @ 15 V
Caratteristica FET-
Dissipazione di potenza (max)700mW (Ta)
temperatura di esercizio-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioSurface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore6-WDFN (2x2)
Pacchetto / caso6-WDFN Exposed Pad
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 498666000

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

US $ 40 da FedEx.

Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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