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| codice articolo del costruttore: | NTLJS1102PTBG |
| Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte della descrizione: | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6WDFN |
| Schede tecniche: | NTLJS1102PTBG Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 8 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.7A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 6.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 720mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 4.5 V |
| Vgs (massimo) | ±6V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1585 pF @ 4 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-WDFN (2x2) |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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