SCTWA50N120

codice articolo del costruttore:	SCTWA50N120
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
Schede tecniche:	SCTWA50N120 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	65A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	69mOhm @ 40A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 20 V
Vgs (massimo)	+25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	318W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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