SCTW90N65G2V

codice articolo del costruttore:	SCTW90N65G2V
Produttore:	STMicroelectronics
Parte della descrizione:	SICFET N-CH 650V 90A HIP247
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	90A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 50A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Vgs (massimo)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3300 pF @ 400 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	390W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 200°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	HiP247™
Pacchetto / caso	TO-247-3

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