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IR (Infineon Technologies) / IPD70N12S3L12ATMA1
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IPD70N12S3L12ATMA1
| codice articolo del costruttore: | IPD70N12S3L12ATMA1 |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CHANNEL_100+ |
| Schede tecniche: | IPD70N12S3L12ATMA1 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) IPD70N12S3L12ATMA1 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | * |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | - |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | - |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | - |
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| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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