IPD70P04P4L08ATMA2

codice articolo del costruttore:	IPD70P04P4L08ATMA2
Produttore:	IR (Infineon Technologies)
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 40V 70A TO252-3
Schede tecniche:	IPD70P04P4L08ATMA2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	OptiMOS®-P2
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.8mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 120µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	+5V, -16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5430 pF @ 25 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PG-TO252-3-313
Pacchetto / caso	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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