SIB452DK-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIB452DK-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Schede tecniche:	SIB452DK-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	190 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	1.5A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)	±16V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	135 pF @ 50 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-75-6L

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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