SIB411DK-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SIB411DK-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6
Schede tecniche:	SIB411DK-T1-GE3 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Tc)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	66mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 8 V
Vgs (massimo)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	470 pF @ 10 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 13W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacchetto / caso	PowerPAK® SC-75-6L

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