EPC2012

codice articolo del costruttore:	EPC2012
Produttore:	EPC
Parte della descrizione:	GANFET N-CH 200V 3A DIE
Schede tecniche:	EPC2012 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	eGaN®
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Discontinued at Digi-Key
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Ta)
Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.8 nC @ 5 V
Vgs (massimo)	+6V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	145 pF @ 100 V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
temperatura di esercizio	-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	Die
Pacchetto / caso	Die

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