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| codice articolo del costruttore: | EPC2029 |
| Produttore: | EPC |
| Parte della descrizione: | GANFET N-CH 80V 48A DIE |
| Schede tecniche: | EPC2029 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |

| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | eGaN® |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 80 V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 48A (Ta) |
| Tensione di pilotaggio (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 12mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Vgs (massimo) | +6V, -4V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1410 pF @ 40 V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | Die |
| Pacchetto / caso | Die |
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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