FAM65HR51DS2

codice articolo del costruttore:	FAM65HR51DS2
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	IGBT MODULE 650V 33A 135W
Schede tecniche:	FAM65HR51DS2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Half Bridge Inverter
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)	33 A
Potenza - Max	135 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	-
Corrente - Taglio collettore (max)	-
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	4.86 nF @ 400 V
Ingresso	Standard
Termistore NTC	No
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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