FPF2C110BI07AS2

codice articolo del costruttore:	FPF2C110BI07AS2
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Schede tecniche:	FPF2C110BI07AS2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tray
Stato della parte	Active
Tipo IGBT	-
Configurazione	Half Bridge
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)	40 A
Potenza - Max	300 W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 40A
Corrente - Taglio collettore (max)	250 µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	-
Ingresso	Standard
Termistore NTC	Yes
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	30-DIP Module
Pacchetto dispositivo fornitore	F2

OPZIONI DI ACQUISTO

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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