19MT050XF

codice articolo del costruttore:	19MT050XF
Produttore:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Parte della descrizione:	MOSFET 4N-CH 500V 31A MTP
Schede tecniche:	19MT050XF Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	HEXFET®
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7210pF @ 25V
Potenza - Max	1140W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	16-MTP Module
Pacchetto dispositivo fornitore	16-MTP

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