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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NTMFD1D4N02P1E
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NTMFD1D4N02P1E
| codice articolo del costruttore: | NTMFD1D4N02P1E |
| Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
| Parte della descrizione: | MOSFET N-CH 20V 8PQFN |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NTMFD1D4N02P1E è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
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Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | - |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 13A (Ta), 74A (Tc), 24A (Ta), 155A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 20A, 10V, 1.1mOhm @ 37A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA, 2V @ 800µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.2nC @ 4.5V, 21.5nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1180pF @ 13V, 3603pF @ 13V |
| Potenza - Max | 960mW (Ta), 1W (Ta) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PQFN (5x6) |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
|---|---|---|
Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ |
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Calcolo del trasporto
US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente
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