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codice articolo del costruttore: | NVMFD6H846NLWFT1G |
Produttore: | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor |
Parte della descrizione: | MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL, |
Schede tecniche: | NVMFD6H846NLWFT1G Schede tecniche |
Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
Condizioni di magazzino: | Disponibile |
Nave da: | Hong Kong |
Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Tipo | Descrizione |
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Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
Stato della parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Standard |
Tensione da Drain to Source (Vdss) | 80V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 9.4A (Ta), 31A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 21µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 40V |
Potenza - Max | 3.2W (Ta), 34W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual) |
Stato delle scorte: 7500
Minimo: 1
Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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US $ 40 da FedEx.
Arrivo in 3-5 giorni
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