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Vishay / Siliconix / SIZF918DT-T1-GE3
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SIZF918DT-T1-GE3
| codice articolo del costruttore: | SIZF918DT-T1-GE3 |
| Produttore: | Vishay / Siliconix |
| Parte della descrizione: | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6 |
| Schede tecniche: | SIZF918DT-T1-GE3 Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Vishay / Siliconix SIZF918DT-T1-GE3 è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 23A (Ta), 40A (Tc), 35A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA, 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC, 56nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1060pF, 2650pF @ 15V |
| Potenza - Max | 3.4W (Ta), 26.6W (Tc), 3.7W (Ta), 50W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 8-PowerWDFN |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PowerPair® (6x5) |
OPZIONI DI ACQUISTO
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo |
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