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                                    | codice articolo del costruttore: | APTMC60TLM14CAG | 
| Produttore: | Roving Networks / Microchip Technology | 
| Parte della descrizione: | MOSFET 4N-CH 1200V 219A SP6C | 
| Schede tecniche: | APTMC60TLM14CAG Schede tecniche | 
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS | 
| Condizioni di magazzino: | Disponibile | 
| Nave da: | Hong Kong | 
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 

| Tipo | Descrizione | 
|---|---|
| Serie | - | 
| Pacchetto | Bulk | 
| Stato della parte | Active | 
| Tipo FET | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | 
| Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) | 
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | 
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 219A (Tc) | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 150A, 20V | 
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 30mA (Typ) | 
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 483nC @ 20V | 
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 1000V | 
| Potenza - Max | 925W | 
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo di montaggio | Chassis Mount | 
| Pacchetto / caso | SP6 | 
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 | 
Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno
Minimo: 1
| Quantità | Prezzo unitario | est. Prezzo | 
|---|---|---|
                                                                     
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