VQ1006P-2

codice articolo del costruttore:	VQ1006P-2
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	MOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIP
Schede tecniche:	VQ1006P-2 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tube
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	4 N-Channel
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	90V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	400mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	60pF @ 25V
Potenza - Max	2W
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	14-DIP

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