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ROHM Semiconductor / BSM400D12P3G002

BSM400D12P3G002

codice articolo del costruttore: BSM400D12P3G002
Produttore: ROHM Semiconductor
Parte della descrizione: 1200V, 358A, HALF BRIDGE, FULL S
Stato senza piombo/Stato RoHS: Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino: Disponibile
Nave da: Hong Kong
Modo di spedizione: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
NOTA
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Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.

package

Specifiche
Tipo Descrizione
Serie-
PacchettoBulk
Stato della parteActive
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FETSilicon Carbide (SiC)
Tensione da Drain to Source (Vdss)1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id5.6V @ 109.2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds17000pF @ 10V
Potenza - Max1570W (Tc)
temperatura di esercizio-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggioChassis Mount
Pacchetto / casoModule
Pacchetto dispositivo fornitoreModule
OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: Spedizione lo stesso giorno

Minimo: 1

Quantità Prezzo unitario est. Prezzo

Il prezzo non è disponibile, per favore RFQ

Calcolo del trasporto

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Arrivo in 3-5 giorni

Express: (FEDEX, UPS, DHL, TNT) Spedizione gratuita sui primi 0,5 kg per ordini superiori a 150 $, il sovrappeso verrà addebitato separatamente

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