CPH6616-TL-E

codice articolo del costruttore:	CPH6616-TL-E
Produttore:	Rochester Electronics
Parte della descrizione:	N-CHANNEL SILICON MOSFET
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.2nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	187pF @ 10V
Potenza - Max	900mW
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore	6-CPH

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 1135

Minimo: 1

Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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