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Microsemi / APTM20DHM16T3G
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APTM20DHM16T3G
| codice articolo del costruttore: | APTM20DHM16T3G |
| Produttore: | Microsemi |
| Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 |
| Schede tecniche: | APTM20DHM16T3G Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- Microsemi APTM20DHM16T3G è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | POWER MOS 7® |
| Pacchetto | Bulk |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Caratteristica FET | Standard |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 104A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19mOhm @ 52A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7220pF @ 25V |
| Potenza - Max | 390W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP3 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
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