RJM0603JSC-00#13

codice articolo del costruttore:	RJM0603JSC-00#13
Produttore:	Renesas Electronics America
Parte della descrizione:	MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	Automotive, AEC-Q101
Pacchetto	-
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 10V
Potenza - Max	54W
temperatura di esercizio	175°C
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore	20-HSOP

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