LN100LA-G

codice articolo del costruttore:	LN100LA-G
Produttore:	Roving Networks / Microchip Technology
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 1200V
Schede tecniche:	LN100LA-G Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Obsolete
Tipo FET	2 N-Channel (Cascoded)
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3000Ohm @ 2mA, 2.8V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	50pF @ 25V
Potenza - Max	350mW
temperatura di esercizio	-25°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-VFLGA
Pacchetto dispositivo fornitore	6-LFGA (3x3)

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