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IR (Infineon Technologies) / IRF6702M2DTR1PBF
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IRF6702M2DTR1PBF
| codice articolo del costruttore: | IRF6702M2DTR1PBF |
| Produttore: | IR (Infineon Technologies) |
| Parte della descrizione: | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET |
| Schede tecniche: | IRF6702M2DTR1PBF Schede tecniche |
| Stato senza piombo/Stato RoHS: | Senza piombo / Conforme a RoHS |
| Condizioni di magazzino: | Disponibile |
| Nave da: | Hong Kong |
| Modo di spedizione: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- NOTA
- IR (Infineon Technologies) IRF6702M2DTR1PBF è disponibile su chipnets.com. Vendiamo solo parti nuove e originali e offriamo 1 anno di garanzia. Se desideri saperne di più sui prodotti o applicare un prezzo migliore, contattaci, fai clic sulla chat online o inviaci un preventivo.
Tutti i componenti elettronici verranno imballati in modo molto sicuro grazie alla protezione antistatica ESD.
Specifiche
| Tipo | Descrizione |
|---|---|
| Serie | HEXFET® |
| Pacchetto | Tape & Reel (TR) |
| Stato della parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione da Drain to Source (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 15V |
| Potenza - Max | 2.7W |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric MA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET™ MA |
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