QJD1210010

codice articolo del costruttore:	QJD1210010
Produttore:	Powerex, Inc.
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Schede tecniche:	QJD1210010 Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Bulk
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET	Silicon Carbide (SiC)
Tensione da Drain to Source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 100A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	500nC @ 20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	10200pF @ 800V
Potenza - Max	1080W
temperatura di esercizio	-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Chassis Mount
Pacchetto / caso	Module
Pacchetto dispositivo fornitore	Module

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