SISF06DN-T1-GE3

codice articolo del costruttore:	SISF06DN-T1-GE3
Produttore:	Vishay / Siliconix
Parte della descrizione:	COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	TrenchFET® Gen IV
Pacchetto	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Standard
Tensione da Drain to Source (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 15V
Potenza - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	PowerPAK® 1212-8SCD
Pacchetto dispositivo fornitore	PowerPAK® 1212-8SCD

OPZIONI DI ACQUISTO

Stato delle scorte: 5029

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Quantità	Prezzo unitario	est. Prezzo
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