EFC3J018NUZTDG

codice articolo del costruttore:	EFC3J018NUZTDG
Produttore:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Parte della descrizione:	MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP
Schede tecniche:	EFC3J018NUZTDG Schede tecniche
Stato senza piombo/Stato RoHS:	Senza piombo / Conforme a RoHS
Condizioni di magazzino:	Disponibile
Nave da:	Hong Kong
Modo di spedizione:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

Specifiche

Tipo	Descrizione
Serie	-
Pacchetto	Tape & Reel (TR)
Stato della parte	Active
Tipo FET	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caratteristica FET	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Tensione da Drain to Source (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	75nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	2.5W (Ta)
temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	6-XFBGA, WLCSP
Pacchetto dispositivo fornitore	6-WLCSP (1.77x3.05)

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